서비스 개요 Silicon Wafer 상부에 산화막(SiO₂)을 형성한 Oxide Wafer를 고객 요구 사양에 맞춰 공정·두께·균일도 기준으로 제공하는 웨이퍼 가공 서비스입니다.반도체 공정 평가, 공정 개발, 장비 Qualification 및 양산 테스트용으로 활용됩니다. 주요 사양구경: 6인치(150 mm) / 8인치(200 mm) / 12인치(300 mm)기판: Silicon Wafer / SiC-Wafer 산화막 종류: Thermal Oxide / CVD Oxide산화막 두께: 고객 요청 사양 (수 nm ~ 수 μm)두께 균일도: 고객 요구 기준 대응 표면 상태연마 상태: SSP / DSP (기판 기준)표면 품질: 반도체 공정용 표준 충족(Flatness / TTV / Warp 고객 요구 기준)파티클 관리: 공정 평가 및 장비 테스트 대응 수준 관리 적용 분야공정 평가용 Test Wafer장비 Qualification / Recipe SetupOxide Etch / Deposition 공정 검증MEMS / Sensor / R&D 공정 포장포장 형태: 카세트 또는 개별 포장수량: 고객 요청 기준 상기 서비스 사양은 고객 요구, 적용 공정 및 장비 조건에 따라 조정 가능