SiC-Wafer
주요 사양구경: 4인치 / 6인치 / 8인치 / Ingot 두께: 표준 사양 또는 고객 요청 사양결정 구조: 4H-SiC결정 방향: ⟨0001⟩ (오프축)오프축 각도: 4° 표준 / 고객 요청 사양전도 타입: N형 / 반절연(SI)도핑 원소: 질소(N) / 바나듐(V)저항률: 고객 지정 범위(Ω·cm)
표면 상태연마 방식: 단면(SSP) 연마 / 양면(DSP) 연마 / 에피 대응표면 품질: 전력 반도체 공정용 표준 충족
포장포장 형태: 카세트 또는 개별 포장수량: 고객 요청 기준라벨: LOT 번호 및 이력 추적 가능
상기 사양은 고객 요구에 따라 조정 가능
26. 01. 08