SiC-Wafer
SiC-Wafer (Silicon Carbide)
고전압·고온 환경에서도 안정적인 성능을 제공하는 차세대 전력반도체용 웨이퍼로, EV, 인버터, 에너지 시스템 등 고효율·고신뢰성이 요구되는 분야에 적용됩니다.
고전압·고온 환경에서도 안정적인 성능을 제공하는 차세대 전력반도체용 웨이퍼로, EV, 인버터, 에너지 시스템 등 고효율·고신뢰성이 요구되는 분야에 적용됩니다.
본문
주요 사양
구경: 4인치 / 6인치 / 8인치 / Ingot
두께: 표준 사양 또는 고객 요청 사양
결정 구조: 4H-SiC
결정 방향: ⟨0001⟩ (오프축)
오프축 각도: 4° 표준 / 고객 요청 사양
전도 타입: N형 / 반절연(SI)
도핑 원소: 질소(N) / 바나듐(V)
저항률: 고객 지정 범위(Ω·cm)
표면 상태
연마 방식: 단면(SSP) 연마 / 양면(DSP) 연마 / 에피 대응
표면 품질: 전력 반도체 공정용 표준 충족
포장
포장 형태: 카세트 또는 개별 포장
수량: 고객 요청 기준
라벨: LOT 번호 및 이력 추적 가능
상기 사양은 고객 요구에 따라 조정 가능

